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晶體管

  • 模擬多路開(kāi)關(guān)工作原理圖_模擬多路開(kāi)關(guān)工作原理

    返回目錄1.基本用法用BJT晶體管實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能是一種常用的實(shí)用電路。與邏輯門電路一樣,將BJT用于開(kāi)關(guān)電路時(shí),也只能在飽和區(qū)域和截止區(qū)域工作。如下圖所示,開(kāi)關(guān)功能的實(shí)現(xiàn)電路也可以是發(fā)光二極管、電機(jī)等。圖3-10.01開(kāi)關(guān)電路的動(dòng)作原理如下。向vi輸入0V時(shí),晶體管截止,負(fù)載RL中沒(méi)有電流流動(dòng)向vi輸入高電平時(shí),晶

    2022-09-25 889 繼電器 晶體管 負(fù)載

  • 開(kāi)關(guān)接線圖解_開(kāi)關(guān)接線

    3358www.Sina.com/基本開(kāi)關(guān)電路是應(yīng)用廣泛的重要電路,主要為一、基本開(kāi)關(guān)電路:,數(shù)字開(kāi)關(guān)電路和3http://www.Sina.com/模擬開(kāi)關(guān)電路主要由晶體管或MOS管構(gòu)成,該開(kāi)關(guān)電路廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)和繼電器驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)合,是最常用的開(kāi)關(guān)電路。機(jī)械開(kāi)關(guān)電路模擬信號(hào)與數(shù)字信號(hào)

    2022-09-25 1101 繼電器 電路 晶體管

  • 開(kāi)漏和推挽的作用_推挽和開(kāi)漏功能的區(qū)別

    轉(zhuǎn)載3359blog.csdn.net/hailin0716/article/details/24333951一、推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字設(shè)備;推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)晶體管分別由兩個(gè)互補(bǔ)的信號(hào)控制,總是一個(gè)晶體管導(dǎo)通時(shí)另一個(gè)截止。高低等級(jí)由集成電路的電源決定。推挽電路是兩個(gè)參數(shù)相同的晶體管或MO

    2022-09-25 1699 電阻 晶體管 引腳

  • 場(chǎng)效應(yīng)管怎么測(cè)量好壞_場(chǎng)效應(yīng)管

    VMOS功率場(chǎng)管的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖如圖1所示。圖1(b)是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀,因此柵極表面和氧化膜表面的面積大,有利于大電流控制。由于柵極仍然與漏極、源極絕緣,VMOS管也是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。漏極d從芯片引出。與MOS管相比,—源極和兩極面積較大,二是垂直導(dǎo)電(MOS管沿表面水平導(dǎo)電)

    2022-09-25 989 溝道 柵極 晶體管

  • 場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別_場(chǎng)效應(yīng)管

    VMOS功率場(chǎng)管的外形和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖如圖1所示。圖1(b)是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀,因此柵極表面和氧化膜表面的面積大,有利于大電流控制。由于柵極仍然與漏極、源極絕緣,VMOS管也是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。漏極d從芯片引出。與MOS管相比,—源極和兩極面積較大,二是垂直導(dǎo)電(MOS管沿表面水平導(dǎo)電)

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